炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006150740
Publication number (International publication number)：2007320790
Application date： May. 30, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：

【課題】ドナー及びアクセプターとなる添加元素の濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶1上にバルク状の炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、ドナー元素及びアクセプター元素の添加方法として、各元素を含有するガスソースを用いるか、あるいは、窒素を含む混合ガス雰囲気中で、アクセプター元素を含む比表面積が0.1m2/g以下の固体粉末原料が混合されたSiC原料粉末2を用いることにより、インゴット全体に渡り濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶を成長する炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、結晶成長雰囲気中に、ドナーとなる元素を含む不純物及びアクセプターとなる元素を含む不純物をいずれもガスソースとして導入して、炭化珪素単結晶中にドナーとアクセプターとをドーピングすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 23/06 , H01L 33/00

FI (3)：

C30B29/36 A , C30B23/06 , H01L33/00 A

F-Term (13)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EB01 , 4G077HA02 , 4G077SA01 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA67

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

蛍光体および発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-087110 Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社

Cited by examiner (13)

特開昭61-291495
炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-179382 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開昭61-291495

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