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J-GLOBAL ID：200903037130734746

炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット

Inventor：
大谷 昇

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勝野 正和

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柘植 弘志

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中林 正史

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藤本 辰雄

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矢代 弘克

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澤村 充

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藍郷 崇

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星野 泰三

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Applicant, Patent owner：
新日本製鐵株式会社

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Agent (4)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006054420
Publication number (International publication number)：2007230823
Application date： Mar. 01, 2006
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：
【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径{0001}面ウェハを、再現性良く低コストで製造し得るためのSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶1を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶12を成長させる際に、成長する炭化珪素単結晶12の電子濃度を1×1019cm-3以上6×1020cm-3以下と高くした状態で単結晶12の一部もしくは全部を成長させることにより、炭化珪素単結晶12の転位欠陥を低減させ、高品質で大口径な炭化珪素単結晶インゴット12を得る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素単結晶よりなる種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させてバルク状の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法において、成長する炭化珪素単結晶の電子濃度を1×1019cm-3以上6×1020cm-3以下とした状態で、単結晶の一部もしくは全部を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
IPC (7)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (7)：
C30B29/36 A ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 Z ,  C30B29/38 D ,  C23C16/42 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB08 ,  4G077DB09 ,  4G077EA01 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED02 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ04 ,  4G077GA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (6)
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