半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池上徹真
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004200083
Publication number (International publication number)：2006024667
Application date： Jul. 07, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【目的】ポーラス状に形成される多孔質低誘電率(p-lowk)膜内へのバリアメタルに用いたメタルの拡散を抑制することを目的とする。【構成】 p-lowk膜を基体上に形成するp-lowk膜形成工程(S102)と、前記p-lowk膜表面側に形成される空孔が前記p-lowk膜内部側の空孔へ連結する連結位置における開口サイズより大きい分子(Ta-R1)を前記p-lowk膜表面に吸着させるTa[N(C2H5)2]5供給工程(S106)と、前記分子(Ta-R1)と反応するNH3を供給し、TaN膜を形成するNH3供給工程(110)と、前記開口サイズより小さい分子(Ta-R2)を吸着させるTaCl5供給工程(S114)と、前記分子(Ta-R2)と反応するNH3を供給し、TaN膜をさらに形成するNH3供給工程(120)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数の空孔が形成され、表面側に形成される空孔が内部の空孔へ連結し内部へと開口する多孔質膜を基体上に形成する多孔質膜形成工程と、前記多孔質膜表面側に形成される空孔が前記多孔質膜内部側の空孔へ連結する連結位置における開口サイズより大きい第1の分子を前記多孔質膜表面に吸着させる第1の吸着工程と、前記第1の分子と反応する第1の反応種を供給し、前記多孔質膜表面に第1の反応生成膜を形成する第1の反応生成膜形成工程と、前記第1の反応生成膜表面に前記開口サイズより小さい第2の分子を吸着させる第2の吸着工程と、前記第2の分子と反応する第2の反応種を供給し、前記第1の反応生成膜表面に第2の反応生成膜を形成する第2の反応生成膜形成工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , H01L 21/285 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (5)：

H01L21/90 J , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/285 C , H01L21/88 R

F-Term (63)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA17 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB32 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD75 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT01 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW09 , 5F033XX12 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

原子層蒸着を用いた薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-254777 Applicant：三星電子株式会社
原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-034413 Applicant：三星電子株式会社
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-307849 Applicant：三星電子株式会社

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