電界効果半導体素子の製造方法及び電界効果半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382755
Publication number (International publication number)：2003209124
Application date： Dec. 17, 2001
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極-ソース電極及びゲート電極-ドレイン電極間隔による寄生抵抗を小さくすることができ、素子特性の向上を図ることができ、均一性及び再現性に優れた電界効果半導体素子の製造方法及び電界効果半導体素子を提供すること。【解決手段】下記一般式(1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層上にゲート金属を形成する工程と、このゲート金属をマスク材としてソース電極及びドレイン電極を自己整合により形成する工程とを有する、電界効果半導体素子の製造方法、及びこの製造方法により得られる電界効果半導体素子。一般式(1):AlxInyGa1-x-yN(但し、前記一般式(1)において、x+y=1、0≦x≦1、0≦y≦1である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層上にゲート電極を形成する工程と、このゲート電極をマスク材としてソース電極及びドレイン電極を自己整合により形成する工程とを有する、電界効果半導体素子の製造方法。一般式(1):AlxInyGa1-x-yN(但し、前記一般式(1)において、x+y=1、0≦x≦1、0≦y≦1である。)

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 29/47 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (7)：

H01L 21/28 301 H , H01L 21/28 301 R , H01L 29/80 H , H01L 29/48 M , H01L 29/48 H , H01L 21/302 A , H01L 29/80 F

F-Term (47)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104GG03 , 4M104GG11 , 4M104HH14 , 4M104HH18 , 4M104HH20 , 5F004DA01 , 5F004DB03 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102HA01 , 5F102HA03 , 5F102HB02 , 5F102HB09 , 5F102HC01 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-116398 Applicant：日本電気株式会社
特開昭53-143177
電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084933 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

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