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J-GLOBAL ID：200903019847125568

エッチング方法および装置

Inventor： 森 義明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364962
Publication number (International publication number)：2001185526
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 マスクを形成することなく被処理部材の所望位置をエッチングできるようにする。【解決手段】 エッチング装置10は、吐出ヘッド部12がXYテーブル14に搭載してあって、被処理部材の面に沿って移動可能となっている。吐出ヘッド部12は、インクジェットプリンタのプリンタヘッドと同様に形成してあって、HF水溶液などのエッチング液を吐出する複数の液体吐出口16が直線状または千鳥状に設けてある。吐出ヘッド部12とXYテーブル14とは、制御装置40によって制御され、被処理部材の所望位置にエッチング液を吐出して塗布し、その部分をエッチングできるようになっている。

Claim (excerpt)：

被処理部材と反応して被処理部材を除去可能なエッチング液を液体吐出手段により前記被処理部材の所望位置に吐出し、その位置の被処理部材を除去することを特徴とするエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  B81C 3/00 ,  C23F 1/08

FI (3)：

B81C 3/00 ,  C23F 1/08 ,  H01L 21/306 R

F-Term (18)：

4K057WA20 ,  4K057WD06 ,  4K057WE07 ,  4K057WG02 ,  4K057WG08 ,  4K057WM17 ,  4K057WN01 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043BB30 ,  5F043DD07 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043EE28 ,  5F043EE36 ,  5F043EE40 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-042766
  
• 半導体基板のエッチング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-151585   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 膜パターニング方法,半導体素子の製造方法並びに薄膜太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176188   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体基板上にシリコン材料の上部構造体を形成する製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-145474   Applicant：エフエスアイインターナショナル
• 半導体ウエハの処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-157048   Applicant：株式会社小松製作所
• 半導体ウェハの処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-188923   Applicant：新日本製鐵株式会社