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J-GLOBAL ID：200903019862361480

ナノ炭素材料複合体及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス

Inventor：
安藤 寿浩

About 安藤 寿浩

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中川 清晴

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蒲生 美香

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蒲生 秀典

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Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

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凸版印刷株式会社

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Agent (3)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008061892
Publication number (International publication number)：2009215123
Application date： Mar. 11, 2008
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：
【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。【解決手段】ナノ炭素材料複合体1は、酸化シリコン粒子2と酸化シリコン粒子2の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維3とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化シリコン粒子の表面に遷移金属触媒を担持して酸化シリコン触媒粒子とし、該酸化シリコン触媒粒子を炭化水素からなる気相中でナノ炭素材料が合成される触媒反応温度に加熱し、 上記酸化シリコン触媒粒子表面にらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を成長させることを特徴とする、ナノ炭素材料複合体の製造方法。
IPC (3)：
C01B 31/02 ,  H01J 1/304 ,  H01J 31/12
FI (3)：
C01B31/02 101F ,  H01J1/30 F ,  H01J31/12 C
F-Term (50)：
4G146AA11 ,  4G146AA17 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03A ,  4G146AD17 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD26 ,  4G146AD28 ,  4G146AD29 ,  4G146AD35 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BC33A ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC46 ,  4G146BC47 ,  4G169AA03 ,  4G169BA02A ,  4G169BA02B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169CB81 ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169EB19 ,  4G169FB06 ,  4G169FB30 ,  4G169FC07 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB08 ,  5C135AB13 ,  5C135AB18 ,  5C135AC01 ,  5C135FF23 ,  5C135HH02 ,  5C135HH04 ,  5C135HH15 ,  5C135HH17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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