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J-GLOBAL ID:200903019916545507
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
小川 勝男
, 田中 恭助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005117846
Publication number (International publication number):2006302924
Application date: Apr. 15, 2005
Publication date: Nov. 02, 2006
Summary:
【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N2またはO2を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N2またはO2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN2またはO2を含む高マスク選択比条件と、N2またはO2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
プラズマ処理装置において、プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することによりSiOC系膜を含む多層構造膜を有する被処理材をエッチング処理するプラズマ処理方法であって、
前記SiOC系膜のエッチングにおいて、対マスク選択比の高い異方性主体のエッチングを行った後、CxHyFzガス(x、y、z=0、1、2、...)を主体としかつN2及びO2を含まないガスを用いた等方的なエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3):
H01L 21/306
, H01L 21/768
, H01L 23/522
FI (3):
H01L21/302 101D
, H01L21/90 C
, H01L21/90 K
F-Term (33):
5F004AA05
, 5F004AA06
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004BB11
, 5F004BB28
, 5F004CA01
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB24
, 5F004EA28
, 5F004EA29
, 5F004EB02
, 5F004EB03
, 5F033QQ04
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ15
, 5F033QQ16
, 5F033QQ18
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR29
, 5F033SS04
, 5F033TT02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-117680
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-057407
Applicant:日本電気株式会社
-
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-117664
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
-
プラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-285752
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-217118
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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Cited by examiner (2)
-
エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-117680
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-057407
Applicant:日本電気株式会社
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