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J-GLOBAL ID：200903019916545507

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor：
角屋 誠浩

About 角屋 誠浩

, 
大本 豊

About 大本 豊

, 
薬師寺 守

About 薬師寺 守


Applicant, Patent owner：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

About 株式会社日立ハイテクノロジーズ


Agent (2)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117846
Publication number (International publication number)：2006302924
Application date： Apr. 15, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：
【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N2またはO2を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N2またはO2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN2またはO2を含む高マスク選択比条件と、N2またはO2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
プラズマ処理装置において、プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することによりSiOC系膜を含む多層構造膜を有する被処理材をエッチング処理するプラズマ処理方法であって、 前記SiOC系膜のエッチングにおいて、対マスク選択比の高い異方性主体のエッチングを行った後、CxHyFzガス(x、y、z=0、1、2、...)を主体としかつN2及びO2を含まないガスを用いた等方的なエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (3)：
H01L21/302 101D ,  H01L21/90 C ,  H01L21/90 K
F-Term (33)：
5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033TT02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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