Pat
J-GLOBAL ID：200903017635692745

プラズマ処理装置

Inventor：
小林 浩之

About 小林 浩之

, 
前田 賢治

About 前田 賢治

, 
横川 賢悦

About 横川 賢悦

, 
伊澤 勝

About 伊澤 勝

, 
金清 任光

About 金清 任光


Applicant, Patent owner：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

About 株式会社日立ハイテクノロジーズ


Agent (1)： 特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004217118
Publication number (International publication number)：2006041088
Application date： Jul. 26, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】 プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する【解決手段】 処理室1と、処理室に処理ガスを供給する手段13〜14と、処理室1を減圧する真空排気手段25,26と、ウェハ等の被処理体2を載置する電極4と、電磁波放射電源5Aとを有するプラズマ処理装置において、O2あるいはN2の組成比が異なる少なくとも2種類の処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入することによって、加工深さの面内均一性を保ったままCD寸法の面内均一性を制御できるようにする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理室と、処理室に処理ガスを供給する手段と、処理室を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置であって、 被処理体の中心部と外周部に異なる組成比あるいは流量比の混合処理ガスを供給する手段を具備し、 被処理体面内における加工深さの均一性を変化させずに、被処理体面内におけるCD寸法の均一性を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 C ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
F-Term (18)：
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
Show all
Cited by examiner (13)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM