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J-GLOBAL ID：200903089825463204

プラズマ処理方法

Inventor：
角屋 誠浩

About 角屋 誠浩

, 
大本 豊

About 大本 豊


Applicant, Patent owner：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

About 株式会社日立ハイテクノロジーズ


Agent (1)： 特許業務法人第一国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004285752
Publication number (International publication number)：2006100628
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：
【課題】 ArFレジストマスク対応の低誘電率膜(Low-k膜、SiOCH)において、ArFレジストダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。【解決の手段】 プラズマを生成し試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、CF4とCHF3の混合ガスを用いてArFレジストマスクを用いてSiOCH膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、希ガス(例えばAr)を用いず、2.0Pa以下の低圧力でプラズマ処理を行う。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、ArFレジストマスクを用いてSiOCH膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、希ガス(例えばAr)を用いないことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (1)：
H01L 21/306
FI (1)：
H01L21/302 105A
F-Term (15)：
5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA25 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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