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J-GLOBAL ID：200903020005939905

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

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手銭 雄太

About 手銭 雄太

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平松 敏夫

About 平松 敏夫

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永井 誠二

About 永井 誠二


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000099949
Publication number (International publication number)：2001284266
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】GaN層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部にその上面がGaN層31の上面よりも低い位置となる厚さでマスク4を形成する。段差の上段の上面31a及び側面31bを核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めたのち、上方にも成長させることができる。このときGaN32が横方向エピタキシャル成長したマスク4の上部は、GaN層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。
Claim (excerpt)：
基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層をエッチングにより、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態とし、前記基底層の中間部の面又は基板の面を底部に露出させるよう段差を設ける工程と、前記段差の前記底部に、上面が前記最上層の上面よりも低い位置となる厚さでマスクを形成する工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記第1のIII族窒化物系化合物半導体の段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (47)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  4G077EH03 ,  4G077HA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DB02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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