半導体素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999014946
Publication number (International publication number)：2000216497
Application date： Jan. 22, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】平坦な端面を有し、へき開により容易に素子分離が可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】サファイア基板1のA面またはA面からc軸方向もしくはc軸と垂直な方向に0.03°〜20°傾斜した面上にGaN系半導体層20を成長させ、サファイア基板1をC面またはM面でへき開することにより、共振器面を形成する。サファイア基板1のM面またはM面からc軸方向もしくはc軸と垂直な方向に0.03°〜20°傾斜した面上にGaN系半導体層20を成長させ、サファイア基板1をC面またはA面でへき開することにより、共振器面を形成する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の{11-20}面または{11-20}面から所定方向に所定角度傾斜した面上に、ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体層が形成され、前記サファイア基板の{0001}面および前記窒化物系半導体層の{0001}面からなる端面を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00 C

F-Term (13)：

5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA77 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-106057 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-016586 Applicant：株式会社日立製作所
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-106059 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団

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