プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小山有 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998011503
Publication number (International publication number)：1999214362
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】微細な金属粉などを処理室に混入させることなく、プラズマ処理装置のプラズマ発生室と処理室との圧力差を大きくする。【解決手段】ガス制御ユニット14のバルブ15をオンにし、反応ガスを一気にプラズマ発生室6に送り込と、プラズマ発生室6内の圧力が一時的に低くなるとともに、反応ガスの濃度が高まり、プラズマの濃度が増す。また、プラズマ発生室6と処理室5との圧力差が大きくなる。その結果、多孔グリッド8を介して処理室5に導入されるプラズマの面積が広がり、均一なエッチング処理がなされる。

Claim (excerpt)：

反応ガスが供給されるプラズマ発生室と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置において、このプラズマ処理装置はプラズマ発生室と処理室の内部圧力の差を大きくするための手段として、反応ガスの供給管に間欠的に大量の反応ガスをプラズマ発生室に送り込むガス制御ユニットを接続していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-166107 Applicant：三菱電機株式会社
表面処理装置およびこれを用いた表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-149288 Applicant：株式会社小松製作所
原子、分子線による表面処理方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179593 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page