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J-GLOBAL ID：200903020137582534

発光装置およびその作製方法

Inventor：
村上 智史

About 村上 智史

, 
一條 充弘

About 一條 充弘

, 
浅見 勇臣

About 浅見 勇臣


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002142039
Publication number (International publication number)：2003045671
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 陰極、陽極、バッファー層、または有機化合物層にアルカリ金属、或いはアルカリ土金属を含む材料を用いた場合にEL素子からTFTへの不純物イオン(代表的にはアルカリ金属イオンまたはアルカリ土金属イオン)の拡散が生じ、TFTの特性変動を招く恐れがある。【解決手段】 TFTとEL素子の間に設ける絶縁膜117、317、417としては、アルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料、例えば、フッ素を多く含んだ窒化シリコン膜、フッ素を多く含んだ窒化酸化シリコン膜、或いはアンチモン(Sb)化合物、スズ(Sn)化合物、またはインジウム(In)化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜を用いる。
Claim (excerpt)：
基板の絶縁表面に設けられたTFTと、TFTと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ金属を含む陰極を備え、前記TFTと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層、あるいは前記アルカリ金属の拡散を防止する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
IPC (2)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/14
FI (2)：
H05B 33/22 Z ,  H05B 33/14 A
F-Term (6)：
3K007AB11 ,  3K007AB12 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB05 ,  3K007EC00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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