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J-GLOBAL ID：200903020203925626

レジストパターン形成方法

Inventor：
塩原 英志

About 塩原 英志


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003340590
Publication number (International publication number)：2005109146
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】液浸型露光装置を用いた場合に、常に安定したレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】被加工膜が形成された半導体基板(S)上にレジスト膜(R)を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズ(1)との間を液体(2)で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜(R1)を前記レジスト膜上に形成する工程を含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被加工膜が形成された半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズとの間を液体で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、 前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜を前記レジスト膜上に形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38
FI (6)：
H01L21/30 575 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 565 ,  H01L21/30 515D ,  H01L21/30 514E
F-Term (15)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA01 ,  2H025DA02 ,  2H025FA01 ,  2H096AA25 ,  2H096CA20 ,  2H096DA10 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096EA18 ,  2H096JA02 ,  5F046AA28 ,  5F046JA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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