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J-GLOBAL ID:200903020203925626
レジストパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003340590
Publication number (International publication number):2005109146
Application date: Sep. 30, 2003
Publication date: Apr. 21, 2005
Summary:
【課題】液浸型露光装置を用いた場合に、常に安定したレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】被加工膜が形成された半導体基板(S)上にレジスト膜(R)を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズ(1)との間を液体(2)で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜(R1)を前記レジスト膜上に形成する工程を含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被加工膜が形成された半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜と対物レンズとの間を液体で満たした状態で露光を行う液浸型露光装置にて前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むレジストパターン形成方法であり、
前記レジスト膜の形成後かつ前記レジスト膜の露光前に、前記液体に対して不溶となるレジスト保護膜を前記レジスト膜上に形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3):
H01L21/027
, G03F7/11
, G03F7/38
FI (6):
H01L21/30 575
, G03F7/11 501
, G03F7/38 501
, H01L21/30 565
, H01L21/30 515D
, H01L21/30 514E
F-Term (15):
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025DA01
, 2H025DA02
, 2H025FA01
, 2H096AA25
, 2H096CA20
, 2H096DA10
, 2H096EA04
, 2H096EA05
, 2H096EA18
, 2H096JA02
, 5F046AA28
, 5F046JA22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-412585
Applicant:株式会社ニコン
-
液浸型露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-121757
Applicant:株式会社ニコン
-
レジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-258247
Applicant:富士通株式会社
-
レジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-214415
Applicant:沖電気工業株式会社
-
特開平4-305917
-
レジストパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-118278
Applicant:富士通株式会社
-
特開平4-217258
-
フォトレジストの現像方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-056539
Applicant:日鉄セミコンダクター株式会社
-
パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-294981
Applicant:株式会社東芝
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