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J-GLOBAL ID：200903020559924462

フォトニックデバイスおよびその製造方法

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
浅井 圭一郎

About 浅井 圭一郎

, 
長井 晃余

About 長井 晃余

, 
田中 光浩

About 田中 光浩


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001114065
Publication number (International publication number)：2002176196
Application date： Apr. 12, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNデバイス多層膜を成膜したフォトニックデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板本体と、その表面に形成されたAlGaInNバッファ層とを有する基板の上に、AlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)となるようにAlGaInNデバイス多層膜が成膜されたフォトニックデバイスにおいて、バッファ層中の最少のAl組成を、デバイス多層膜中の最大膜厚の層のAl組成以上とし、バッファ層のAl組成xを、デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状に小さくする。
Claim (excerpt)：
サファイア、ZnO、SiC、Si、GaAs、GaNなどを基板本体として、その一方の表面に堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)バッファ層と、このバッファ層の表面にエピタキシャル成長により堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)デバイス多層膜とを具えるフォトニックデバイスにおいて、前記バッファ層中の、Al組成が最少の部分のAl組成を、前記デバイス多層膜中の少なくとも最大膜厚の層のAl組成以上とし、前記バッファ層のAl組成xを、前記デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状にAl組成比xの値が小さくなるように構成したことを特徴とする、フォトニックデバイス。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A
F-Term (44)：
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA60 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049WA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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