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J-GLOBAL ID：200903020966526021

暗信号を減少させることのできるイメージセンサ及びそのイメージセンサの素子分離方法

Inventor：
林 栽 ヨン

About 林 栽 ヨン

, 
高 壕 淳

About 高 壕 淳


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004194527
Publication number (International publication number)：2005183920
Application date： Jun. 30, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】暗信号を減少させるための素子分離が適用されたイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ロジック部と複数のフォトダイオードを有する受光部とからなるイメージセンサにおいて、前記受光部に隣接するフォトダイオード間の領域は、半導体基板表面の下部に形成されたフィールドイオン注入領域20と前記半導体基板の上部に形成された絶縁膜30とによって前記フォトダイオードが分離されている。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
ロジック部と複数のフォトダイオードを有する受光部とからなるイメージセンサにおいて、 前記受光部に隣接するフォトダイオード間の領域は、半導体基板表面の下部に形成されたフィールドイオン注入領域と前記半導体基板の上部に形成された絶縁膜とによって前記フォトダイオードが分離されていることを特徴とする暗信号を減少させることのできるイメージセンサ。
IPC (4)：
H01L27/146 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335
FI (6)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 R ,  H01L21/76 S ,  H01L21/76 L ,  H01L21/94 A
F-Term (36)：
4M108AB03 ,  4M108AB14 ,  4M108AB36 ,  4M108AC39 ,  4M108AC42 ,  4M108AC50 ,  4M108AD11 ,  4M108AD13 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F032AA03 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AC01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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