オンラインのCMP後洗浄方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：奥山雄毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000006030
Publication number (International publication number)：2001196339
Application date： Jan. 11, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 CMP後洗浄において、一台のCMP装置により、CMP処理とより優れたCMP後洗浄を行うことができ、空間と時間の節約と研磨後の二次汚染防止を図ることができるCMP後洗浄方法を提供する。【解決手段】 CMP装置で被加工物の表面を完全な鏡面に仕上げるステップS1と、同一の装置に洗浄液を加えるステップS2と、所定の押出力に調整するステップS3と、CMP装置としての機能を軽減させて表面付着物を洗浄除去するステップS4と、SC-1液による湿式洗浄を行うステップS5とを含み、同一のCMP装置でCMP処理とCMP後洗浄処理の双方を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

CMP法による被加工物の平坦化処理と、その平坦化された被加工物の表面付着物をスクラバ洗浄法により除去するCMP後洗浄処理とにおいて、CMP装置により被加工物の表面を平坦化し、さらに完全な鏡面に仕上げるステップと、CMP装置に洗浄液を加えるステップと、記被加工物の表面が機械的な損傷を受けないように、被加工物の研磨布に対する押圧力を調整するステップと、CMP装置の被加工物に対するCMP機能を軽減させて、研磨布のブラシ作用によって被加工物の表面付着物を洗浄除去することにより、被加工物表面の平坦化処理用としてのCMP装置を、表面付着物の洗浄除去用として機能させるステップと、湿式洗浄を行うステップとを含み、CMP装置にてCMP処理とCMP後洗浄処理の双方を行うことを特徴とするオンラインのCMP後洗浄方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

洗浄器具及び半導体ウェーハ洗浄装置並びに半導体ウェーハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-157097 Applicant：株式会社東芝
シリコンウェーハを用いた半導体ウェーハ研磨加工の良否評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322108 Applicant：コマツ電子金属株式会社
ウエーハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-288243 Applicant：富士通株式会社

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