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J-GLOBAL ID:200903021036253218

半導体装置およびその製造方法、並びに、無線通信システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000022071
Publication number (International publication number):2001217209
Application date: Jan. 31, 2000
Publication date: Aug. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ダイシング時におけるチッピングを防止する。【解決手段】 化合物半導体基板11の素子領域13には素子16が形成され、さらに、化合物半導体基板11上全体にはベンゾシクロブテン膜12が形成されている。スクライブ領域14のベンゾシクロブテン膜12の厚みは素子領域13よりも薄く形成されている。こうして、スクライブ領域14をベンゾシクロブテンで補強することによって、スクライブ領域14をダイシングソーでダイシングする際にチッピングを生じないようにする。その際に、スクライブ領域14のベンゾシクロブテン膜12の厚みを、素子領域13の20μmに対して5μmにすることによって、ダイシングソーへのダメージを低減する。
Claim (excerpt):
有機絶縁材料によって半導体の表面が覆われて成る半導体装置において、上記半導体は、素子が形成されている複数の素子領域と、個々の素子領域の間におけるスクライブ領域を有し、上記スクライブ領域における表面は、上記素子領域の表面を覆っている有機絶縁材料の厚みよりも薄く上記有機絶縁材料によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent:
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Cited by examiner (5)
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