Pat
J-GLOBAL ID：200903030225493890

プラズマ処理装置

Inventor：
檜森 慎司

About 檜森 慎司

, 
酒井 伊都子

About 酒井 伊都子


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 渡部 敏彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002101394
Publication number (International publication number)：2003297810
Application date： Apr. 03, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ密度の均一化を達成することができるプラズマ処理装置を提供するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマエッチング処理装置1におけるプラズマ処理容器2は、その上部の頂部における下向きの凹部4を閉鎖する上方に凸であるドーム形状の上部電極12と、上部電極12における頂部の下方に位置する下部電極14とを有し、下部電極14に対向する上部電極12の高さは、外側から中央部にかけて高くなる。
Claim (excerpt)：
被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極とを有し、前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記下部電極に対する前記上部電極の高さが、前記下部電極における外側から中心にかけて高くなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  B01J 3/00 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46
FI (5)：
B01J 3/00 J ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 B
F-Term (18)：
4G075AA30 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EC21 ,  4G075FB04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平3-014228
  • 特開平4-157164
  • プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-244011   Applicant：日電アネルバ株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM