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J-GLOBAL ID：200903021236093908

薄層化学トランジスター及びその製造方法

Inventor： 川合 知二 ,  谷口 正輝 ,  福井 育生
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005177422
Publication number (International publication number)：2006100782
Application date： Jun. 17, 2005
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【解決手段】 金属/固体電解質/半導体構造を有する薄層化学トランジスターにおいて、固体電解質層及び半導体層を形成する物質が、有機溶剤に溶解可能な化合物であることを特徴とする薄層化学トランジスター。【効果】 本発明によれば、溶剤プロセスのみから作製されるため、インクジェットをはじめとするプリント技術により、容易に作製することが可能であり、TFT欠陥の確率を減少させて、製造コストの低減を図ることも可能となる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

金属/固体電解質/半導体構造を有する薄層化学トランジスターにおいて、固体電解質層及び半導体層を形成する物質が、有機溶剤に溶解可能な化合物であることを特徴とする薄層化学トランジスター。

IPC (2)：

H01L 29/80 ,  H01L 51/05

FI (2)：

H01L29/80 A ,  H01L29/28

F-Term (15)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL00 ,  5F102GT10 ,  5F102HC00 ,  5F102HC11 ,  5G301CA02 ,  5G301CA08 ,  5G301CA14 ,  5G301CA16 ,  5G301CA17 ,  5G301CA20 ,  5G301CD01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特表平5-508745号公報
  

Cited by examiner (3)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-146004   Applicant：株式会社日立製作所
• 有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-331767   Applicant：三星電子株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-015057   Applicant：三菱化学株式会社