発光素子用3-5族化合物半導体及び発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280232
Publication number (International publication number)：1997129920
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】高い発光効率の発光素子を実現できる3-5族化合物半導体及び発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体であって、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を有する発光素子用3-5族化合物半導体、及び該半導体を用いる発光素子。

Claim (excerpt)：

基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体であって、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を有することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化物半導体単結晶層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022085 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-209577
半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041583 Applicant：株式会社日立製作所

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