半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (22)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 橋本良郎 , 風間鉄也 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007306029
Publication number (International publication number)：2009130266
Application date： Nov. 27, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】低抵抗SiC基板とそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の不純物濃度を有する炭化珪素基板(1)と、前記炭化珪素基板上に形成され、第2の不純物濃度を有する第1の炭化珪素層(5)と、前記第1の炭化珪素層の上に形成され、第3の不純物濃度を有する第1導電型の第2の炭化珪素層(2)とを具備し、第2の不純物濃度>第1の不純物濃度>第3の不純物濃度の関係を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の不純物濃度を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に形成され、第2の不純物濃度を有する第1の炭化珪素層と、前記第1の炭化珪素層の上に形成され、第3の不純物濃度を有する第1導電型の第2の炭化珪素層と、を具備し、第2の不純物濃度>第1の不純物濃度>第3の不純物濃度の関係を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (9)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/06 , H01L 29/861

FI (10)：

H01L29/48 D , H01L29/78 652T , H01L29/78 652G , H01L29/78 655B , H01L29/78 658Z , H01L29/78 658F , H01L29/48 F , H01L21/28 A , H01L29/06 301G , H01L29/91 F

F-Term (21)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD79 , 4M104FF02 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104FF34 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

SiC基板、SiC半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-271419 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-121783 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-376140 Applicant：新電元工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-344338 Applicant：株式会社東芝

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