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J-GLOBAL ID:200903021797715770
トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
平木 祐輔
, 平木 祐輔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999271282
Publication number (International publication number):2001093119
Application date: Sep. 24, 1999
Publication date: Apr. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 トンネル伝導に寄与する電子状態の選択を最適化することによって高感度なTMR素子を実現する。【解決手段】 bcc構造を有する強磁性体層210とトンネルバリア層310との接合面を強磁性体層210の(211)面又は(110)面とする。トンネルバリア層310は、アルミが主要な金属膜表面によく濡れる性質を利用し、10Å以下のアルミニウム膜を磁性体金属表面に形成してこれを自然酸化又は酸素ラジカルにより酸化する段階と、これに続く酸素雰囲気中又は酸素ラジカル雰囲気中でのアルミナ薄膜形成を行う段階の二段階で形成したアルミナ薄膜である。
Claim (excerpt):
第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜を備えるトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層はbcc構造を有する強磁性体であり、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の(211)面又は(110)面であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (10):
5D034BA04
, 5D034BA15
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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磁性体トンネル接合素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-092034
Applicant:株式会社東芝
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強磁性トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-316443
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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強磁性トンネル接合素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-170192
Applicant:日本電気株式会社
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強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-248363
Applicant:住友金属工業株式会社
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磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-335501
Applicant:日本電気株式会社
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磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-244991
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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特許第6710986号
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