パターン化されたサファイア基板および発光ダイオードの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：筒井大和 , 小塚善高 , 筒井章子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007011494
Publication number (International publication number)：2008078603
Application date： Jan. 22, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

パターン化サファイア基板の製造方法を提供する。本製造方法は、以下の処理を含んでいる。最初に、サファイア基板を準備し、そのサファイア基板上にマスク層を形成する。ここで、適切なパターンを有するそのマスク層は、サファイア基板の一部を露出させている。次いで、ウェットエッチング処理を行い、サファイア基板の露出部分を除去する。このウェットエッチング処理でのエッチング剤には、硫酸および硫酸とリン酸との混合物が含まれる。次に、マスク層を除去し、パターン化サファイア基板を形成する。さらに、発光ダイオードの製造方法を提供する。【選択図】図1D

Claim (excerpt)：

サファイア基板を準備する工程と、前記サファイア基板上に、前記サファイア基板の一部を露出させるマスク層を形成する工程と、エッチング剤が硫酸を含む第1のウェットエッチング処理を行い、前記サファイア基板の露出部分を除去する工程と、前記マスク層を除去する工程と、を有する、パターン化されたサファイア基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , C30B 29/20 , C30B 33/10 , C23C 16/02

FI (5)：

H01L33/00 C , H01L21/205 , C30B29/20 , C30B33/10 , C23C16/02

F-Term (24)：

4G077AA02 , 4G077BB01 , 4G077FG06 , 4G077HA12 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB09 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045CA10 , 5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-218384 Applicant：京セラ株式会社
半導体発光ダイオードとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-162374 Applicant：株式会社イッツウエル
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-172291 Applicant：シャープ株式会社

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