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J-GLOBAL ID：200903063835279828

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法

Inventor：
平松 和政

About 平松 和政

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三宅 秀人

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坊山 晋也

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前田 尚良

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小野 善伸

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Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

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Agent (3)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003061027
Publication number (International publication number)：2004273661
Application date： Mar. 07, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】転位密度が小さく反りの少ない窒化物系3-5族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。【解決手段】(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体結晶であって、転位密度の低減された結晶を有するエピタキシャル基板を製造するに当り、突起状の形態を複数有する該3-5族化合物半導体結晶を用い、その結晶先端部付近のみが開口部となるように該3-5族化合物半導体とは異種の材料からなるマスクで覆う第1の工程と、該開口部の3-5族化合物半導体結晶を種結晶とし、該3-5族化合物半導体結晶を横方向成長させる第2の工程を有することを特徴とする転位密度の低減された該3-5族化合物半導体結晶有するエピタキシャル基板の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体結晶であって、転位密度の低減された結晶を有するエピタキシャル基板を製造するに当り、突起状の形態を複数有する該3-5族化合物半導体結晶を用い、その結晶先端部付近のみが開口部となるように該3-5族化合物半導体とは異種の材料からなるマスクで覆う第1の工程と、該開口部の3-5族化合物半導体結晶を種結晶とし、該3-5族化合物半導体結晶を横方向成長させる第2の工程を有することを特徴とする転位密度の低減された該3-5族化合物半導体結晶を有するエピタキシャル基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (3)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (24)：
5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB10 ,  5F052GC06 ,  5F052GC10 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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