単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004218384
Publication number (International publication number)：2005064492
Application date： Jul. 27, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法でストライプ状の溝または凹凸を作製した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供する【解決手段】SiO2を主成分とする保護膜をマスクとして、熱リン酸等でウェットエッチングすることにより、エッチピットを有する凹凸を備えた単結晶サファイア基板を作製する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

主面上に複数の凹凸を有し、該凹凸の少なくとも底面または側面に複数のエッチピットを有することを特徴とする単結晶サファイア基板。

IPC (3)：

H01L33/00 , C30B29/20 , C30B33/10

FI (3)：

H01L33/00 C , C30B29/20 , C30B33/10

F-Term (16)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BB01 , 4G077CF10 , 4G077FG06 , 4G077FG18 , 4G077GA02 , 4G077HA12 , 5F041AA03 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-344808 Applicant：日本碍子株式会社
半導体基材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-083324 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-081447 Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (10)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-081447 Applicant：三菱電線工業株式会社
単結晶サファイア基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-086693 Applicant：京セラ株式会社
特開平2-293400

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