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J-GLOBAL ID:200903022546408697
荷電粒子ビーム制御素子および荷電粒子ビーム装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999296842
Publication number (International publication number):2001118536
Application date: Oct. 19, 1999
Publication date: Apr. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 めっきなどの表面処理によって絶縁体上に形成された電極の表面を高精度に保ちつつ、電極に対し簡素な構成で電圧印加用配線を接続可能な荷電粒子ビーム制御素子、およびそれを備えた荷電粒子ビーム装置を提供すること。【解決手段】 荷電粒子ビームの軌道または断面形状を静電界によって制御する荷電粒子ビーム制御素子であって、筒状の絶縁体からなる基体部11と、基体部11に対する表面処理によって該基体部11の内側面11cに形成された膜状の導体からなる電極部21と、電極部21の一端21aから延在して基体部11の所定面13aに表面処理によって形成された導体からなる第1の配線部22と、基体部11の内部を貫いて第1の配線部22に達する導体からなる第2の配線部23とを備える。
Claim (excerpt):
荷電粒子ビームの軌道または断面形状を静電界によって制御する荷電粒子ビーム制御素子であって、筒状の絶縁体からなる基体部と、前記基体部に対する表面処理によって該基体部の内側面に形成された膜状の導体からなる電極部と、前記電極部の一端から延在して前記基体部の所定面に前記表面処理によって形成された導体からなる第1の配線部と、前記基体部の内部を貫いて前記第1の配線部に達する導体からなる第2の配線部とを備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム制御素子。
IPC (2):
FI (4):
H01J 37/147 A
, H01J 37/147 B
, H01J 37/147 C
, H01J 37/12
F-Term (5):
5C033CC01
, 5C033CC04
, 5C033EE01
, 5C033FF01
, 5C033GG02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (18)
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荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-138755
Applicant:富士通株式会社
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特開平2-247966
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特開昭63-110542
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パターン検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-234466
Applicant:株式会社ニコン
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電子ビームプロービング装置の二次電子エネルギー分析器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-307966
Applicant:富士通株式会社
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静電レンズおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-337408
Applicant:株式会社東芝
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特開昭64-010562
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特開昭63-173325
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特開平2-247966
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特開昭64-010562
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特開昭63-173325
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特開昭63-110542
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特開昭63-110542
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特開平2-256148
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特開昭64-089135
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特開昭63-136449
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特開昭63-173325
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製造装置組立部品、製造装置組立部品の製造方法、半導体製造装置及び電子ビーム露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-271336
Applicant:株式会社東芝
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