半導体装置、および半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003130484
Publication number (International publication number)：2004193544
Application date： May. 08, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】Cu配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜2の溝部内に、上面が露出する金属配線7を形成し、金属配線7上面からシリコンを拡散させ、シリコン含有金属配線8の露出面に金属拡散防止膜9を形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜の溝部内に、上面が露出する金属配線を形成する工程と、前記金属配線上面からシリコンを拡散させる工程と、前記金属配線の露出面に金属拡散防止膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L21/768

FI (1)：

H01L21/90 A

F-Term (77)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK27 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033LL10 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ62 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR29 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033SS25 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F033XX21 , 5F033XX24 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-151268 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-104015 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-324594 Applicant：株式会社日立製作所

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