半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000104015
Publication number (International publication number)：2001291720
Application date： Apr. 05, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性(信頼性)を向上する。【解決手段】酸化シリコン膜39の配線溝40に埋め込むCu配線46a〜46eをCMPを用いた研磨で形成し、CMP後の洗浄工程を経た後に、酸化シリコン膜39およびCu配線46a〜46eの表面を還元性プラズマ(アンモニアプラズマ)で処理する。その後、真空破壊することなく、連続的にキャップ膜(窒化シリコン膜)を形成する。

Claim (excerpt)：

以下の構成を含むことを特徴とする半導体集積回路装置;(a)第1の主面を有する半導体チップ;(b)上記半導体チップの上記第1の主面上に形成された第1の絶縁膜;(c)上記第1の絶縁膜表面に形成された埋め込み配線溝;(d)上記埋め込み配線溝の底面に設けられ、下層の導電層と接続するための接続孔;(e)上記埋め込み配線溝および上記接続孔の底面および側面の表面領域に形成された導電性バリア膜;(f)上記導電性バリア膜が形成された上記配線溝及び上記接続孔内に埋め込まれた銅を主成分とする埋め込みメタル配線層;(g)上記埋め込みメタル配線層及び上記第1の絶縁膜の上面を覆うように形成されたキャップ絶縁膜;(h)上記キャップ絶縁膜上に形成された上層絶縁膜;上記半導体チップが完成した時点の上記埋め込みメタル配線層の銅以外の成分の濃度は、0.8At.%以下である。

IPC (7)：

H01L 21/3205 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , H01L 21/304 622 , H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (6)：

C09K 3/14 550 Z , C09K 3/14 550 C , H01L 21/304 622 D , H01L 21/88 M , H01L 21/90 A , H01L 27/08 321 F

F-Term (74)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH28 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033LL01 , 5F033LL03 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN40 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP22 , 5F033PP26 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX10 , 5F033XX31 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BG07 , 5F048BG14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

配線構造、及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-236107 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-165732 Applicant：日本電気株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-168707 Applicant：株式会社日立製作所

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