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J-GLOBAL ID：200903022944084559

導電制御デバイス

Inventor：
ヨルグ ヴンダーリヒ

About ヨルグ ヴンダーリヒ

, 
伊藤 顕知

About 伊藤 顕知


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (2)： 浅村 皓 ,  浅村 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006080518
Publication number (International publication number)：2006270103
Application date： Mar. 23, 2006
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：
【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第1強磁性領域(6)と、比較的小さい飽和保磁力を有する第2強磁性領域(8)と、第1強磁性領域と第2強磁性領域との間に配置された接合領域(11)とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート(3)も備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
比較的大きい飽和保磁力を有する第1強磁性領域(6;58)と、 比較的小さい飽和保磁力を有する第2強磁性領域(8;59)と、 前記第1強磁性領域と前記第2強磁性領域とを磁気的に反結合させるよう、前記第1強磁性領域と前記第2強磁性領域との間に配置された接合領域(9;60)と、 前記接合領域に電界を加え、前記接合領域内の電荷キャリア密度を制御するためのゲート(3;57)とを備えた、導電制御デバイス(1;1’;55)。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4)：
H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 P
F-Term (34)：
4M119BB11 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD22 ,  4M119DD42 ,  4M119EE22 ,  4M119EE26 ,  5F092AA01 ,  5F092AA02 ,  5F092AB01 ,  5F092AB07 ,  5F092AC11 ,  5F092AC12 ,  5F092AC21 ,  5F092AC24 ,  5F092AD06 ,  5F092AD13 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB26 ,  5F092BB38 ,  5F092BB46 ,  5F092BB53 ,  5F092BC42 ,  5F092BC46 ,  5F092BD07 ,  5F092BD13 ,  5F092BD19 ,  5F092BE02 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA03 ,  5F092CA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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