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J-GLOBAL ID：200903022975218430

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： 太宰 尚宏 ,  森 貴敬 ,  清水 宏明 ,  大下 京子 ,  平原 孔明
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007229231
Publication number (International publication number)：2009062414
Application date： Sep. 04, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】特定の酸解離性抑制基エステル骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位、そのモノマーは、例えば下記(I)式であり、又特定のアダマンタン骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位を有する高分子化合物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(a1’-1)で表される構成単位(a1’)、および下記一般式(a3’-1)で表される構成単位(a3’)を有する高分子化合物。

IPC (5)：

C08F 220/10 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26

FI (5)：

C08F220/10 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26

F-Term (31)：

2H025AA02 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA15P ,  4J100BA22R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-201310   Applicant：東京応化工業株式会社

Cited by examiner (4)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-371122   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-260412   Applicant：富士フイルム株式会社
• ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-114494   Applicant：富士フイルム株式会社
• レジスト用単量体およびレジスト用重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-294849   Applicant：三菱レイヨン株式会社