半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998192011
Publication number (International publication number)：1999312749
Application date： Jul. 07, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は高密度化された外部接続電極を有した半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法に関し、小型化及び高密度化を図ることを課題とする。【解決手段】半導体素子11と、この半導体素子を封止する樹脂パッケージ12と、この樹脂パッケージ12の実装側平面16に露出形成された金属膜13と、半導体素子11上の電極パッドと金属膜13とを電気的に接続するワイヤ18とを具備してなる半導体装置において、金属膜13の実装側面に外部接続端子として機能するスタッドバンプ17を配設する。

Claim (excerpt)：

半導体素子を樹脂封止すると共に、該半導体素子と外部接続端子とを接続手段により電気的に接続してなる半導体装置において、前記外部接続端子をスタッドバンプにより構成したことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227711 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-110380 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322803 Applicant：富士通株式会社

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