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J-GLOBAL ID：200903023157802360

半導体装置

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Inventor： 小野 瑞城 ,  石原 貴光
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003313093
Publication number (International publication number)：2005085822
Application date： Sep. 04, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】 半導体基板中を移動するキャリアのモビリティ-の向上を図る。【解決手段】 ゲート絶縁膜に金属酸化物等を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜が、半導体基板上に形成された第一の絶縁膜と、第一の絶縁膜上に形成された第二の絶縁膜と、第二の絶縁膜上に形成された第三の絶縁膜とを含む少なくとも三層の積層であり、第一の絶縁膜は酸化シリコンまたは窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンよりなり、第二乃至第三の絶縁膜は金属を含み、第二の絶縁膜の誘電率が、第一の絶縁膜の誘電率と第三の絶縁膜の誘電率との積の平方根よりも高い半導体装置である。キャリアがゲート絶縁膜中乃至ゲート絶縁膜と半導体基板との界面に在る電荷から受ける散乱を低減させ、キャリアのモビリティ-の向上をはかり、高速動作の半導体装置を提供する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板表面に配置されたソース領域及びドレイン領域と、 前記半導体基板表面に配置され、前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、 前記半導体基板表面の前記チャネル上に配置された、第一の絶縁膜、前記第一の絶縁膜上の金属を含む第二の絶縁膜、該第二の絶縁膜上の金属を含む第三の絶縁膜を少なくとも含む積層構造からなるゲート絶縁膜と、 前記第三の絶縁膜上に配置されたゲート電極 とを備え、前記第二の絶縁膜の誘電率が、前記第一の絶縁膜の誘電率と前記第三の絶縁膜の誘電率との積の平方根よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

FI (3)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 617U

F-Term (106)：

5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE25 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF12 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA12 ,  5F140AA19 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140CA03 ,  5F140CB00 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-395734   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (4)

• 高誘電体薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法並びに誘電体膜の成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-120485   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-319318   Applicant：三菱電機株式会社
• 5酸化タンタル膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-090211   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-029372   Applicant：富士通株式会社