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J-GLOBAL ID：200903003952578540

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 吉田 親子 ,  南方 浩志 ,  山口 正臣 ,  宮垣 真治 ,  田村 泰之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003029372
Publication number (International publication number)：2004241612
Application date： Feb. 06, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

【課題】高誘電率膜を含むゲート絶縁膜を有するMISトランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ポリシリコンの異常成長やゲートリーク電流を抑制しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10に形成され、ハフニウム組成xが0.7<x<1であるHfxAl1-xOyよりなる誘電体膜16と、誘電体膜16上に形成され、誘電体膜16とは異なる誘電体膜18とを有するゲート絶縁膜20と、ゲート絶縁膜20上に形成され、ポリシリコン膜を有するゲート電極24とを有する。これにより、ポリシリコン膜の形成過程における局所的な異常成長が防止される。また、ゲートリーク電流を大幅に低減することができる。【選択図】 図9

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、ハフニウム組成xが0.7<x<1であるHfxAl1-xOyよりなる第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成され、前記第1の誘電体膜とは異なる第2の誘電体膜とを有するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、ポリシリコン膜を有するゲート電極と を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X

F-Term (39)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BG01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10 ,  5F140CE16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190145   Applicant：富士通株式会社
• アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-215186   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-381216   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置、相補型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-077055   Applicant：富士通株式会社
• ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-142471   Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Suppressed crystallization of Hf-based gate dielectrics by controlled addition of Al2O3 using atomic