パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000385458
Publication number (International publication number)：2002184719
Application date： Dec. 19, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】有機膜よりなるパターンからモールドを離脱させる際に、モールドの反転パターンの凹部に有機膜パターンが残存しないようにして、良好な形状を有する有機膜パターンが得られるようにする。【解決手段】半導体基板12上に、フッ素原子を含むポリマーからなる有機膜13を形成した後、該有機膜13に、所望のパターンが反転してなる反転パターン11を有するモールドの反転パターン11を押し付けて、有機膜13に所望のパターンを転写することにより、有機膜13からなる有機膜パターン13Aを形成する。しかる後、モールドを有機膜パターン13Aから離脱させる。

Claim (excerpt)：

基板上に、フッ素原子又はシリコン原子を含むポリマーからなる有機膜を形成する工程と、前記有機膜に、所望のパターンが反転してなる反転パターンを有するモールドの前記反転パターンを押し付けて、前記有機膜に前記所望のパターンを転写することにより、前記有機膜からなる有機膜パターンを形成する工程と、前記モールドを前記有機膜パターンから離脱させる工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (10)：

H01L 21/30 , B32B 27/00 101 , B32B 27/08 , B32B 27/30 , H01L 21/3065 , B29C 59/02 , B29K 25:00 , B29K 33:00 , B29K 45:00 , B29K 61:00

FI (10)：

H01L 21/30 , B32B 27/00 101 , B32B 27/08 , B32B 27/30 D , B29C 59/02 Z , B29K 25:00 , B29K 33:00 , B29K 45:00 , B29K 61:00 , H01L 21/302 J

F-Term (44)：

4F100AK02B , 4F100AK02J , 4F100AK12B , 4F100AK12J , 4F100AK17B , 4F100AK17J , 4F100AK25B , 4F100AK25J , 4F100AK33B , 4F100AK33J , 4F100AK52B , 4F100AK52C , 4F100AK52K , 4F100AL01B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100EC04 , 4F100EJ15 , 4F100HB00B , 4F100HB00C , 4F100HB08B , 4F100HB08C , 4F100JL14 , 4F209AA12 , 4F209AA13 , 4F209AA20 , 4F209AA37 , 4F209AG04 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC05 , 4F209PG05 , 4F209PN06 , 5F004AA16 , 5F004DA26 , 5F004DB23 , 5F004EA40 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-149285 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-009323
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-040647 Applicant：松下電器産業株式会社

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