半導体素子製造用ウェ-ハ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999354267
Publication number (International publication number)：2000195839
Application date： Dec. 14, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】スピンチャックに安着されたウェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化することでエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供する。【解決手段】回転軸2と、回転軸2によって支持されウェーハWが固定されるチャック8と、ウェーハW上にウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズル25、ウェーハWの裏面にガスを供給するためのガス供給通路4及びウェーハWの裏面に供給されるガスを加熱するためのヒータ30を含めてなる。

Claim (excerpt)：

回転軸と、前記回転軸によって支持され、処理されるウェーハが固定されるチャックと、前記ウェーハ上にウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズルと、前記ウェーハの裏面にガスを供給するためのガス供給手段と、前記ウェーハの裏面に供給される前記ガスを加熱するためのヒータと、を備えることを特徴とする半導体素子製造用ウェーハ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 643 , H01L 21/68

FI (3)：

H01L 21/306 R , H01L 21/304 643 A , H01L 21/68 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-218500 Applicant：株式会社東芝
半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041718 Applicant：三菱電機株式会社
エッチング方法および処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-274564 Applicant：芝浦メカトロニクス株式会社

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