炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002072237
Publication number (International publication number)：2003273127
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】セル部外周において耐圧を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】N+SiC基板1の上にN-ドリフト層2とP型の第1のゲート層3とN+ソース層4とが順に積層されるとともに、ソース層4と第1のゲート層3とを貫通してドリフト層2に達するトレンチ5が形成され、さらに、このトレンチ5の内壁にN型チャネル層6が形成されるとともにその内方にSiCよりなるP型の第2のゲート層7が形成されている。トレンチ5を形成したセル部の外周部において、セル部でのトレンチ5、チャネル層6、第2のゲート層7と同様な構造を有するガードリング構造体が形成され、かつ、この構造体での第1のゲート層3および第2のゲート層7に対応する部材3a,3b,3c,32,42は電気的にフローティング状態となっている。

Claim (excerpt)：

高濃度な第1導電型のSiC基板(1)の上に、エピタキシャル層よりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、SiCよりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、SiCよりなる第1導電型のソース層(4)とが順に積層されるとともに、前記ソース層(4)と第1のゲート層(3)とを貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(5)が形成され、さらに、このトレンチ(5)の内壁にエピタキシャル層よりなる第1導電型のチャネル層(6)が形成されるとともにその内方にSiCよりなる第2導電型の第2のゲート層(7)を形成した炭化珪素半導体装置において、前記トレンチ(5)を形成したセル部の外周部において、セル部でのトレンチ(5)、チャネル層(6)、第2のゲート層(7)と同様な構造を有するガードリング構造体を形成し、かつ、この構造体での前記第1のゲート層(3)および第2のゲート層(7)に対応する部材(3a,3b,3c,32,42)を電気的にフローティング状態としたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/337 , H01L 21/76 , H01L 29/06 301 , H01L 29/06 , H01L 29/80 , H01L 29/808

FI (5)：

H01L 29/06 301 F , H01L 29/06 301 G , H01L 29/80 C , H01L 21/76 S , H01L 29/80 V

F-Term (16)：

5F032AC04 , 5F032BA01 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA16 , 5F102FA01 , 5F102FA08 , 5F102GB02 , 5F102GB05 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR07 , 5F102HC01 , 5F102HC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098735 Applicant：新電元工業株式会社
炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-120595 Applicant：富士電機株式会社
電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-110729 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page