不揮発性半導体記憶装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯村雅俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997079784
Publication number (International publication number)：1998275484
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】メモリセルの微細化を可能とし、ホットホールによる劣化を抑制した動作方式を備えるAND型フラッシュメモリを実現すること。【解決手段】データ線D1(D2)とソース線S1(S2)の間に接続されたメモリセルM11,M12(M21,M22)に対して並列に1個または複数個のMOSトランジスタTR1(TR2)を接続する。このMOSトランジスタやダミーメモリセルを介してソース端子の充電および放電が行われるため、同一ワード線上の非選択メモリセルにおいてホットエレクトロン注入が起きず、しきい値電圧が変化してしまうことが無くなる。上記MOSトランジスタの代わりにメモリセルと同一構成のダミーメモリセルを用いてもよい。

Claim (excerpt)：

半導体基板中に形成されたウェル領域中に電気的に浮遊ゲートへの書込み消去が可能な不揮発性半導体メモリセルをマトリクス状に配置したメモリアレイを備え、メモリセルのドレインを拡散層で形成されるサブデータ線に接続した上でドレイン選択MOSトランジスタを介して金属配線で形成されるデータ線に接続し、メモリセルのソースを拡散層で形成されるサブソース線に接続した上でソース選択MOSトランジスタを介して共通ソース線に接続した構造を持つ不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルの電気的書込み動作を行う際に浮遊ゲートとウェル間のトンネル現象を用いてチャネル全面を介して浮遊ゲートに電子を注入し、消去動作を行う際に浮遊ゲートとウェル間のトンネル現象を用いてチャネル全面を介して浮遊ゲートから電子を引き抜くことにより電気的書換えを行う動作方式を備え、データ線とソース線の間に接続されたメモリセルに対して、並列に1個または複数個のMOSトランジスタまたはダミーメモリセルが接続されていて、書込み動作を行う際、メモリセルのゲートに正電圧を印加する前に前記MOSトランジスタまたはダミーメモリセルをON状態にしてデータ線とソース線を同電位にすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

G11C 17/00 611 F , G11C 17/00 612 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268421 Applicant：ソニー株式会社
半導体不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-172956 Applicant：ソニー株式会社
不揮発性半導体回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-140329 Applicant：株式会社日立製作所

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