窒化ガリウム系半導体層の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001062503
Publication number (International publication number)：2002270514
Application date： Mar. 06, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】表面に転位の終端が生じない窒化ガリウム系半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】基板10の上に形成されたGaN層12の上に、650〜800°Cの範囲でInGaN/GaN MQW18を形成する。これによりInGaN/GaN MQW18の表面16には、転位14の伝搬してきた位置にV溝欠陥20が発生する。このようにV溝欠陥20が発生したInGaN/GaN MQW18の上にさらに800°C以上の温度で窒化ガリウム系半導体層22を形成する。これにより、転位14の伝搬方向が図の下から上への方向から図の横方向に曲げられ、転位14のループ26が形成され、窒化ガリウム系半導体層22中への転位14への伝搬が防止される。

Claim (excerpt)：

表面に転位の終端が生じない窒化ガリウム系半導体層の形成方法であって、成長温度T1でInGaN/GaN MQWを成長させ、窒素雰囲気中で温度をT1から窒化ガリウム系半導体層の成長温度T2に昇温し、InGaN/GaN MQWの上に前記温度T2で窒化ガリウム系半導体層を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系半導体層の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C

F-Term (24)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA55 , 5F052JA10 , 5F052KA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-158866 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-163884 Applicant：シャープ株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-023048 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (6)

窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-163884 Applicant：シャープ株式会社
半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-158866 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-256088 Applicant：株式会社東芝

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