半導体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998158866
Publication number (International publication number)：1999354456
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶性に優れる窒化ガリウム半導体を再現性良く製造できるようにする。【解決手段】反応炉10の内側には、底面に開口部を有する原料ガス導入ノズル11が設けられている。原料ガス導入ノズル11の開口部には基板13を加熱し且つ保持するサセプタ14が挿入される。原料ガス導入ノズル11のガス導入側は、底面側から順に、V族の原料ガス及びそのキャリアガスを導入する第1の導入層11a、III 族の原料ガス及びそのキャリアガスを導入する第2の導入層11b、及び水素、窒素又はアルゴンガス等の不活性ガスよりなるサブフローガスを導入する第3の導入層11cの3層に分割されている。第2の導入層11bと第3の導入層11cとの間の隔壁の基板13側の端部には、該端部が下方に屈曲してなる拡散防止手段手段しての屈曲部12が設けられている。

Claim (excerpt)：

基板上に、III 族源と窒素源とを含む原料ガスを基板面にほぼ平行に且つ層状に導入することにより、前記基板上にIII 族窒化物半導体を製造する半導体の製造方法であって、サブフローガスを前記原料ガスの上側に基板面にほぼ平行に且つ層状に導入する工程を備えていることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-258009 Applicant：シャープ株式会社
光励起気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006811 Applicant：シャープ株式会社
化合物半導体気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-049711 Applicant：パイオニア株式会社, 天野浩, 赤崎勇

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Cited by examiner (8)

気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-258009 Applicant：シャープ株式会社
光励起気相成長装置
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化合物半導体気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-049711 Applicant：パイオニア株式会社, 天野浩, 赤崎勇

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