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J-GLOBAL ID:200903024550096457

半導体材料のレーザー加工

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 三品 岩男 ,  大関 光弘 ,  西村 雅子
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002549424
Publication number (International publication number):2004515365
Application date: Oct. 26, 2001
Publication date: May. 27, 2004
Summary:
高出力のグリーンレーザーを向けることにより半導体がカットされ、続いてUVビームが向けられる。第一のビームは比較的粗いエッジと高い材料除去率で切断を行い、第二のビームは、少量の材料除去で、要求された仕上がりのためにエッジにおける切断を完成させる。
Claim (excerpt):
加工作業を行うために少なくとも二つのレーザービームを材料に向けるステップを有する、材料の加工方法であって、 前記レーザービームは、異なる光学特性を有する、 ことを特徴とする方法。
IPC (3):
B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00
FI (3):
B23K26/06 A ,  B23K26/00 320E ,  H01S3/00 B
F-Term (21):
4E068AE01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068CA09 ,  4E068CC02 ,  4E068CD02 ,  4E068CK01 ,  4E068DA10 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK05 ,  5F072KK12 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072RR03 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY06 ,  5F072YY08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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