Pat
J-GLOBAL ID:200903024550096457
半導体材料のレーザー加工
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
三品 岩男
, 大関 光弘
, 西村 雅子
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002549424
Publication number (International publication number):2004515365
Application date: Oct. 26, 2001
Publication date: May. 27, 2004
Summary:
高出力のグリーンレーザーを向けることにより半導体がカットされ、続いてUVビームが向けられる。第一のビームは比較的粗いエッジと高い材料除去率で切断を行い、第二のビームは、少量の材料除去で、要求された仕上がりのためにエッジにおける切断を完成させる。
Claim (excerpt):
加工作業を行うために少なくとも二つのレーザービームを材料に向けるステップを有する、材料の加工方法であって、
前記レーザービームは、異なる光学特性を有する、
ことを特徴とする方法。
IPC (3):
B23K26/06
, B23K26/00
, H01S3/00
FI (3):
B23K26/06 A
, B23K26/00 320E
, H01S3/00 B
F-Term (21):
4E068AE01
, 4E068CA01
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA07
, 4E068CA09
, 4E068CC02
, 4E068CD02
, 4E068CK01
, 4E068DA10
, 5F072AB02
, 5F072JJ20
, 5F072KK05
, 5F072KK12
, 5F072QQ02
, 5F072RR01
, 5F072RR03
, 5F072RR05
, 5F072SS06
, 5F072YY06
, 5F072YY08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開平2-182390
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基板の切断方法及び切断装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-020992
Applicant:キヤノン株式会社
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レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-083395
Applicant:住友重機械工業株式会社
-
レーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-261542
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
-
レーザによるプリント配線基板の切断装置及び切断方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-143176
Applicant:住友重機械工業株式会社
-
レーザを用いたセラミック基板分割方法およびセラミック基板分割用レーザスクライバ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-224823
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド
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特開昭56-129340
-
特開昭51-113460
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薄膜構成体の加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-006815
Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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