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J-GLOBAL ID:200903024569887714

表示素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 後藤 洋介 ,  池田 憲保
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003148353
Publication number (International publication number):2004355812
Application date: May. 26, 2003
Publication date: Dec. 16, 2004
Summary:
【課題】10V以下の低駆動電圧で高輝度を有する表示素子、特に、有機EL素子を提供することである。【解決手段】ITO膜にドープ材として、Hf、Zr、及び、Vをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたITO膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機EL素子が得られる。この場合、ドープ材はITO膜の表面層内に、離散的に、即ち、段階的にドープされても良いし、連続的に変化するようにドープされても良い。このような表面層を含むITO膜を用いることにより、発光層との間に配置される中間層の構成を簡略化でき、大画面の有機EL素子を容易に製造することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
透明導電性電極と当該透明導電性電極と対向する対向電極とを有する表示素子において、前記透明導電性電極は表面層としてHf、Zr、及びVの少なくとも1つを含む酸化インジウムスズ(ITO)膜を含んでいることを特徴とする表示素子。
IPC (4):
H05B33/28 ,  H01B13/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (4):
H05B33/28 ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
F-Term (9):
3K007AB02 ,  3K007AB05 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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