Pat

J-GLOBAL ID：200903024638574715

窒化ガリウム単結晶の育成方法

Inventor： 佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  山根 久典
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999136415
Publication number (International publication number)：2000327495
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 核発生制御を可能とし、比較的低温・低圧で、高品質で大きなバルク状窒化ガリウム単結晶を合成する。【解決手段】 窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板、窒素原料、および、ガリウム原料を加熱して、バルク状窒化ガリウム単結晶を基板表面上にのみ核発生させて育成する。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板と、窒素原料およびガリウム原料とを加熱して、基板表面上にのみ核発生させてバルク状窒化ガリウム単結晶を育成することを特徴とする窒化ガリウム単結晶の育成方法。

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE43 ,  4G077BE46 ,  4G077DA03 ,  4G077EC01 ,  4G077ED06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭59-057997
  
• GaN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062815   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-045405   Applicant：理化学研究所
• InGaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-030618   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-090673   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221628   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭53-106698
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• NaN3を用いたバルクGaN単結晶の育成