窒化ガリウム単結晶の育成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999136415
Publication number (International publication number)：2000327495
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】核発生制御を可能とし、比較的低温・低圧で、高品質で大きなバルク状窒化ガリウム単結晶を合成する。【解決手段】窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板、窒素原料、および、ガリウム原料を加熱して、バルク状窒化ガリウム単結晶を基板表面上にのみ核発生させて育成する。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム(GaN)薄膜または窒化アルミニウム(AlN)薄膜を表面に堆積させた基板と、窒素原料およびガリウム原料とを加熱して、基板表面上にのみ核発生させてバルク状窒化ガリウム単結晶を育成することを特徴とする窒化ガリウム単結晶の育成方法。

F-Term (7)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE43 , 4G077BE46 , 4G077DA03 , 4G077EC01 , 4G077ED06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭59-057997
GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社
GaN薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-045405 Applicant：理化学研究所

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Cited by examiner (8)

特開昭59-057997
GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

NaN3を用いたバルクGaN単結晶の育成

Cited by examiner (1)

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