Nbスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002350678
Publication number (International publication number)：2004183040
Application date： Dec. 03, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】所定の不純物の量を低減すると共に分散状態のバラツキを抑制したNbスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ターゲット中に含まれるAl,Si,Ge,Mgの総和が100ppm以下(0含む)であり、かつC,O,N,F,Sの総和が300ppm以下(0含む)であるNbスパッタリングターゲット。また、各元素のバラツキを30%以下に抑える。これにより、得られる酸化ニオブ膜の屈折率のバラツキを1%以下に抑えることができる。また、熱間押し出し加工を用いると製造性が向上する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Nbスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット中に含まれるAl,Si,Ge,Mgの総和が100ppm以下(0含む)であり、かつC,O,N,F,Sの総和が300ppm以下(0含む)であることを特徴とするNbスパッタリングターゲット。

IPC (9)：

C23C14/34 , B21C23/00 , B21C23/06 , B22D1/00 , B22D7/00 , B22D21/06 , C22C27/02 , G02B1/10 , G02B1/11

FI (9)：

C23C14/34 A , B21C23/00 A , B21C23/06 , B22D1/00 A , B22D7/00 Z , B22D21/06 , C22C27/02 102Z , G02B1/10 A , G02B1/10 Z

F-Term (15)：

2K009AA03 , 2K009CC03 , 2K009DD04 , 4E029AA07 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC01 , 4K029DC03 , 4K029DC07 , 4K029DC08 , 4K029DC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-150514 Applicant：株式会社東芝
光学部品及びその製造方法並びに光学部品の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-294405 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-218912

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