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J-GLOBAL ID：200903025064012590

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 廣瀬 裕 ,  井上 薫 ,  池田 義人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (6)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003409516
Publication number (International publication number)：2004247709
Application date： Dec. 08, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】 ショットキー接合を介して流れるリーク電流を低く抑えると共に、窒化物半導体層に対するゲート電極の密着性を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体装置は、GaN層13と、GaN層13の上に形成されたゲート電極16とを備える。ゲート電極16はSiを含んでおり、GaN層13とゲート電極16との間にAl2O3 膜が介在している。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体層と、 前記III族窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極とを備え、 前記ゲート電極は密着性促進元素を含んでおり、 前記III族窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に熱酸化絶縁膜が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L29/812

FI (2)：

H01L29/80 Q ,  H01L21/316 C

F-Term (21)：

5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225077   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-320092   Applicant：工業技術院長

Cited by examiner (5)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-248381   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平2-119145
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-347634   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-041583   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-388865   Applicant：松下電器産業株式会社