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J-GLOBAL ID：200903025119708107
単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266424
Publication number (International publication number)：2002145697
Application date： Sep. 03, 2001
Publication date： May. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 インゴットの引上げ速度を大きく増加させてその生産性を向上できる、微細な線幅の高集積デバイス工程にも使用可能なウェーハを提供すること。【解決手段】 OSFリングがインゴット周辺部に存在できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節して半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウェーハを作製する。該ウェーハの周縁部から中心軸方向へ凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでOSFリングが存在し、OSFリング内側から中心軸方向に、DSOD欠陥はあるがFPDサイズ以上の欠陥はない微小欠陥領域が存在する単結晶シリコンウェーハが得られる。
Claim (excerpt)：
中心軸に対してほぼ垂直の前面と後面とを有し、前記中心軸から半径方向へ前面と後面とが延長されて周縁部を形成するディスク状のウェーハにおいて、前記周縁部から前記中心軸方向へ半径の10%未満の凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでOSFリングが存在し、前記OSFリング内側から前記中心軸方向に、DSOD欠陥はあるがFPDサイズ以上の欠陥はない微小欠陥領域が存在することを特徴とする単結晶シリコンウェーハ。
IPC (3)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 C
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EA01
, 4G077EA10
, 4G077EG15
, 4G077HA12
, 4G077PA10
, 5F053AA12
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053RR03
Cited by examiner (8)
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