窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004006467
Publication number (International publication number)：2005200250
Application date： Jan. 14, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

【課題】単結晶窒化物半導体基板を種結晶として用い、気相成長によって厚さ5mm以上の窒化物単結晶インゴットを製造するに際し、窒化物半導体単結晶インゴット側面へ多結晶付着や成長面最外周部における異常成長による歪やクラックの発生をなくすと共に、厚さの増大に伴う成長位置変化の結果として起こる結晶品質の不均一をなくす。【解決手段】気相成長による窒化物半導体単結晶インゴットの成長において、成長中の結晶の成長面外周および側面を覆うカバー16を設けることによって、結晶側面への他結晶の付着を防止するのと同時に、結晶回転軸を成長速度に合わせて後退させ、成長表面を炉内で常に一定の位置に維持する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶窒化物半導体基板を種結晶として用い、気相成長によって厚さ5mm以上の窒化物単結晶を製造する方法において、成長結晶の成長面エッジ部分および側面部分を所定距離を置いて周囲からカバーで覆い、これによって成長面エッジ部分および側面の異常成長を防止しながら窒化物単結晶を成長することを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B29/38 , C30B25/12 , C30B33/00

FI (3)：

C30B29/38 D , C30B25/12 , C30B33/00

F-Term (8)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EG03 , 4G077EH06 , 4G077FG11 , 4G077TF02 , 4G077TJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

III族窒化物半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-064345 Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-567830 Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

Cited by examiner (9)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079760 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
半導体単結晶製造装置の融液面位置測定・制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-124130 Applicant：コマツ電子金属株式会社
III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-567830 Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

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