電解めっき方法及び電解めっき装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：熊谷隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998299862
Publication number (International publication number)：2000129490
Application date： Oct. 21, 1998
Publication date： May. 09, 2000
Summary：

【要約】【課題】下地としてのシード層の膜厚に依存することが少ない均一電着性の良いプロセス条件で初期めっき膜の形成を行い、均一な初期めっき膜形成後に、通常のめっき条件に戻して二次めっき膜を形成して穴埋めめっきを行う電解めっき方法及び電解めっき装置を提供すること。【解決手段】表面に微細穴及び/微細溝が形成された被めっき基板上に電解めっきによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、液温5°C乃至15°Cのめっき液中で初期めっき膜を形成し、その後液温25±2°Cのめっき液中で二次めっき膜を形成する。そのため、めっき処理槽10、めっき液循環槽20及びめっき液循環配管30を具備し、めっき液循環槽20からめっき処理槽10へのめっき液循環配管30途中にめっき液を冷却する冷却器22を配置すると共に、めっき処理槽10からめっき液循環槽20へのめっき液循環配管30の途中又はめっき液循環槽20内にめっき液を加熱する加熱器23を設けた。

Claim (excerpt)：

表面に微細穴及び/微細溝が形成された被めっき基板上に電解めっきによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、液温5乃至15°Cのめっき液中で初期めっき膜を形成し、その後液温25±2°Cのめっき液中で二次めっき膜を形成することを特徴とする電解めっき方法。

IPC (6)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 , C25D 5/18 , C25D 17/00 , C25D 21/02 , H01L 21/288

FI (6)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 , C25D 5/18 , C25D 17/00 C , C25D 21/02 , H01L 21/288 E

F-Term (16)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA01 , 4K023DA07 , 4K023DA08 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BB12 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024CA07 , 4K024CB20 , 4K024CB26 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104DD52

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-010016 Applicant：三菱電機株式会社
めっき装置およびめっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057450 Applicant：日本電装株式会社
特開昭57-203789

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