パワー電界効果トランジスタおよびパワーデバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000077165
Publication number (International publication number)：2001267332
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 3次歪が低減可能なパワー電界効果トランジスタおよびパワーデバイスを提供する。【解決手段】パワー電界効果トランジスタ10aは、パルスドープ層16、制御電極18、キャップ層20、オーミック電極24a、24b、高濃度半導体領域22a、22b、およびドープ半導体領域26を備える。キャップ層20は、パルスドープ層16と制御電極18との間に設けられたIII-V族化合物半導体からなる。高濃度半導体領域22aは、電極24aとパルスドープ層16とを電気的に接続する。高濃度半導体領域22bは、電極24bとパルスドープ層16とを電気的に接続する。ドープ半導体領域16は、高濃度半導体領域22aとパルスドープ層16とを電気的に接続するようにキャップ層20内に設けられている。ドープ半導体領域26は、高濃度半導体領域22aよりも低いキャリア濃度、およびパルスドープ層16と同一の導電型を有する。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体からなるパルスドープ層と、前記パルスドープ層に流れる電流を制御するように設けられた制御電極と、前記パルスドープ層と前記制御電極との間に設けられたIII-V族化合物半導体からなるキャップ層と、前記制御電極を挟むように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極と前記パルスドープ層とを電気的に接続する第1の高濃度半導体領域と、前記第2の電極と前記パルスドープ層とを電気的に接続する第2の高濃度半導体領域と、前記第1の高濃度半導体領域と前記パルスドープ層とを電気的に接続するように前記キャップ層内に設けられたドープ半導体領域と、を備え、前記ドープ半導体領域は、前記第1の高濃度半導体領域よりも低いキャリア濃度、および前記パルスドープ層と同一の導電型を有する、パワー電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/095

FI (2)：

H01L 29/80 B , H01L 29/80 E

F-Term (12)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GR07 , 5F102GR13 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

電力増幅モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-169415 Applicant：住友電気工業株式会社
電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-169416 Applicant：住友電気工業株式会社
ミキサ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004920 Applicant：住友電気工業株式会社

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