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J-GLOBAL ID：200903025282393768

半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに量子箱の形成方法

Inventor：
國里 竜也

About 國里 竜也


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999236669
Publication number (International publication number)：2001068733
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 反応装置から取り出すことなく量子箱を容易に形成することが可能な量子箱の形成方法を提供することである。【解決手段】 MOCVD法により、サファイア基板1上にAlN/GaN超格子バッファ層2、アンドープGaN層3およびアンドープInGaN層4を順に成長させる。その後、H2 を含むガスを供給し、アンドープInGaN層4をH2 を含むガスに晒す。それにより、アンドープInGaN層4の格子欠陥の多い領域がH2 によりエッチングされ、量子箱40が形成される。
Claim (excerpt)：
少なくともインジウムを含む窒化物系半導体からなる量子箱を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (21)：
5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB09 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA25 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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